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日本京都大学研究人员采用强太赫兹脉冲照射普通的半导体材料，使载荷子密度提高。研究人员针对这种现象设计了专门的实验，将标准半导体材料砷化镓量子阱样本暴露太赫兹脉冲下持续1皮秒，突然暴发了雪崩式反应，产生大量电子-空穴对，形成激子，发出近红外冷光，这种明亮的冷光与载荷子倍增有关，使样品密度比初始时提高1000倍。

京都大学进行太赫兹波在生物成像技术中的多种应用研究，但将太赫兹波用于研究半导体则是一个完全不同的科学领域。该发现对于设计和实现超高速晶体管、高效太阳电池、高灵敏光子探测仪等方面具有重要作用。相关研究成果发表在《Nature Communications》上。